Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers Taschenrechner

Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)
R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm)
Diese formel verwendet 5 Variablen
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.
Kleinsignal-Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Kleinsignal-Eingangswiderstand 2 zwischen Basis und Emitter modelliert, wie sich die Eingangsimpedanz zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors ändert, wenn ein kleines Wechselstromsignal angelegt wird.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)