Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Taschenrechner

✖Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.ⓘ Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung [R₂]			+10% -10%
✖Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.ⓘ Endlicher Widerstand [R_fi]			+10% -10%
✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ MOSFET-Primärtranskonduktanz [g_mp]			+10% -10%

✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors [R_d]

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Formel

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Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Formel

R d = R 2 + 2 \cdot R fi + 2 \cdot R fi \cdot g mp \cdot R 2

Beispiel

0.358486 kΩ = 0.064 kΩ + 2 \cdot 0.065 kΩ + 2 \cdot 0.065 kΩ \cdot 19.77 mS \cdot 0.064 kΩ

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Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung
R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.
Endlicher Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.
MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung: 0.064 Kiloohm --> 64 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Endlicher Widerstand: 0.065 Kiloohm --> 65 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
MOSFET-Primärtranskonduktanz: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂ --> 64+2*65+2*65*0.01977*64

Auswerten ... ...

R_d = 358.4864

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

358.4864 Ohm -->0.3584864 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.3584864 ≈ 0.358486 Kiloohm <-- Abflusswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Formel

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