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Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.
ⓘ
Gate-Drain-Kapazität [C
gd
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die Spannungsverstärkung ist ein Maß für die Verstärkung eines elektrischen Signals durch einen Verstärker. Es ist das Verhältnis der Ausgangsspannung zur Eingangsspannung der Schaltung, ausgedrückt in Dezibel (dB).
ⓘ
Spannungsverstärkung [A
v
]
+10%
-10%
✖
Die Ausgangs-Miller-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen Drain und Gate eines MOSFET besteht.
ⓘ
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET [C
out(miller)
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
⎘ Kopie
Schritte
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Formel
✖
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
Formel
C
out(miller)
=
C
gd
⋅
(
A
v
+
1
A
v
)
Beispiel
276.2308 μF
=
7 μF
⋅
(
0.026
+
1
0.026
)
Taschenrechner
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Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangs-Miller-Kapazität
=
Gate-Drain-Kapazität
*((
Spannungsverstärkung
+1)/
Spannungsverstärkung
)
C
out(miller)
=
C
gd
*((
A
v
+1)/
A
v
)
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangs-Miller-Kapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die Ausgangs-Miller-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen Drain und Gate eines MOSFET besteht.
Gate-Drain-Kapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.
Spannungsverstärkung
- Die Spannungsverstärkung ist ein Maß für die Verstärkung eines elektrischen Signals durch einen Verstärker. Es ist das Verhältnis der Ausgangsspannung zur Eingangsspannung der Schaltung, ausgedrückt in Dezibel (dB).
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Drain-Kapazität:
7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Spannungsverstärkung:
0.026 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C
out(miller)
= C
gd
*((A
v
+1)/A
v
) -->
7E-06*((0.026+1)/0.026)
Auswerten ... ...
C
out(miller)
= 0.000276230769230769
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000276230769230769 Farad -->276.230769230769 Mikrofarad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
276.230769230769
≈
276.2308 Mikrofarad
<--
Ausgangs-Miller-Kapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
Credits
Erstellt von
Suma Madhuri
VIT-Universität
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
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Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner
Übergangsfrequenz des MOSFET
Gehen
Übergangsfrequenz
=
Steilheit
/(2*
pi
*(
Source-Gate-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
))
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
Gehen
Kanalbreite
=
Überlappungskapazität
/(
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
)
Überlappungskapazität des MOSFET
Gehen
Überlappungskapazität
=
Kanalbreite
*
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
Gehen
Gate-Kanalkapazität
=
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Kanallänge
Mehr sehen >>
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET Formel
Ausgangs-Miller-Kapazität
=
Gate-Drain-Kapazität
*((
Spannungsverstärkung
+1)/
Spannungsverstärkung
)
C
out(miller)
=
C
gd
*((
A
v
+1)/
A
v
)
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