Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers Taschenrechner

✖Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Der Signalwiderstand ist der Widerstand, der mit der Signalspannungsquelle vs einem Verstärker zugeführt wird.ⓘ Signalwiderstand [R_sig]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Transkonduktanz [g_m]			+10% -10%
✖Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.ⓘ Kapazität [C_t]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%
✖Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.ⓘ Lastwiderstand [R_L]			+10% -10%

✖Die Leerlaufzeitkonstante ist eine Näherungsanalysetechnik, die beim Entwurf elektronischer Schaltkreise verwendet wird, um die Eckfrequenz komplexer Schaltkreise zu bestimmen.ⓘ Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers [T_oc]

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Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Zeitkonstante des offenen Stromkreises = Gate-Source-Kapazität*(1/Signalwiderstand+Transkonduktanz)+(Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand
T_oc = C_gs*(1/R_sig+g_m)+(C_t+C_gd)*R_L
Diese formel verwendet 7 Variablen

Verwendete Variablen

Zeitkonstante des offenen Stromkreises - (Gemessen in Zweite) - Die Leerlaufzeitkonstante ist eine Näherungsanalysetechnik, die beim Entwurf elektronischer Schaltkreise verwendet wird, um die Eckfrequenz komplexer Schaltkreise zu bestimmen.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.
Signalwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Signalwiderstand ist der Widerstand, der mit der Signalspannungsquelle vs einem Verstärker zugeführt wird.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.
Gate-to-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Source-Kapazität: 2.6 Mikrofarad --> 2.6E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Signalwiderstand: 1.25 Kiloohm --> 1250 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Transkonduktanz: 4.8 Millisiemens --> 0.0048 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazität: 2.889 Mikrofarad --> 2.889E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-to-Drain-Kapazität: 1.345 Mikrofarad --> 1.345E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lastwiderstand: 1.49 Kiloohm --> 1490 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_oc = C_gs*(1/R_sig+g_m)+(C_t+C_gd)*R_L --> 2.6E-06*(1/1250+0.0048)+(2.889E-06+1.345E-06)*1490

Auswerten ... ...

T_oc = 0.00630867456

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00630867456 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00630867456 ≈ 0.006309 Zweite <-- Zeitkonstante des offenen Stromkreises

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers

LaTeX Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = Gate-Source-Kapazität*(1/Signalwiderstand+Transkonduktanz)+(Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand

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LaTeX Gehen Widerstand = (Endlicher Eingangswiderstand+Lastwiderstand)/(1+(Transkonduktanz*Endlicher Eingangswiderstand))

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LaTeX Gehen Zweite Polfrequenz = 1/(2*pi*Lastwiderstand*(Gate-to-Drain-Kapazität+Kapazität))

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Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante des CE-Verstärkers

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LaTeX Gehen Verstärkerverstärkung im Mittelband = sqrt(((1+(3 dB Frequenz/Frequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Beobachtete Häufigkeit)))/((1+(3 dB Frequenz/Polfrequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Zweite Polfrequenz))))

Kollektor-Basis-Verbindungswiderstand des CE-Verstärkers

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LaTeX Gehen Verstärkerbandbreite = Hochfrequenz-Niederfrequenz

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Leerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkers Formel

LaTeX Gehen

Zeitkonstante des offenen Stromkreises = Gate-Source-Kapazität*(1/Signalwiderstand+Transkonduktanz)+(Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)*Lastwiderstand
T_oc = C_gs*(1/R_sig+g_m)+(C_t+C_gd)*R_L

Was ist ein CG-Verstärker?

In der Elektronik ist ein Common-Gate-Verstärker eine von drei grundlegenden einstufigen Feldeffekttransistor (FET) -Verstärker-Topologien, die typischerweise als Strompuffer oder Spannungsverstärker verwendet werden. In dieser Schaltung dient der Source-Anschluss des Transistors als Eingang, der Drain ist der Ausgang und das Gate ist mit Masse verbunden oder "gemeinsam", daher der Name. Die analoge Bipolartransistorschaltung ist der Common-Base-Verstärker.

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