Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf Taschenrechner

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
A_fo = -g_mp*(g_ms*R_out)*(1/R_out1+1/R_sm)^-1
Diese formel verwendet 6 Variablen
Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung - Bipolare Kaskoden-Spannungsverstärkung bezieht sich auf eine Art Verstärkerkonfiguration, die zwei Transistoren in einer Kaskodenkonfiguration verwendet, um eine höhere Spannungsverstärkung als ein Verstärker mit einem einzelnen Transistor zu erreichen.
MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
MOSFET-Sekundärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die sekundäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1 - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand von Transistor 1 ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Kleinsignal-Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Kleinsignal-Eingangswiderstand 2 zwischen Basis und Emitter modelliert, wie sich die Eingangsimpedanz zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors ändert, wenn ein kleines Wechselstromsignal angelegt wird.

(Berechnung in 00.034 sekunden abgeschlossen)