✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ MOSFET-Primärtranskonduktanz [gmp] | | | +10% -10% |
✖Die sekundäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ MOSFET-Sekundärtranskonduktanz [gms] | | | +10% -10% |
✖Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.ⓘ Endlicher Ausgangswiderstand [Rout] | | | +10% -10% |
✖Der endliche Ausgangswiderstand von Transistor 1 ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.ⓘ Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1 [Rout1] | | | +10% -10% |
✖Der Kleinsignal-Eingangswiderstand 2 zwischen Basis und Emitter modelliert, wie sich die Eingangsimpedanz zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors ändert, wenn ein kleines Wechselstromsignal angelegt wird.ⓘ Kleinsignal-Eingangswiderstand [Rsm] | | | +10% -10% |