Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Ohmsche Leitfähigkeit - (Gemessen in Siemens / Meter) - Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Elektronendotierte Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
Elektronenkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration wird durch verschiedene Faktoren wie Temperatur, dem Halbleitermaterial zugesetzte Verunreinigungen oder Dotierstoffe sowie externe elektrische oder magnetische Felder beeinflusst.
Lochdotierung der Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Lochdotierung Siliziummobilität ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.
Lochkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Lochkonzentration impliziert eine größere Anzahl verfügbarer Ladungsträger im Material, was sich auf seine Leitfähigkeit und verschiedene Halbleiterbauelemente auswirkt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Elektronendotierte Siliziummobilität: 0.38 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 3.8E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Elektronenkonzentration: 50.6 1 pro Kubikzentimeter --> 50600000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Lochdotierung der Siliziummobilität: 2.4 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.00024 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Lochkonzentration: 0.69 1 pro Kubikzentimeter --> 690000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
Auswerten ... ...
σ = 10.442
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
10.442 Siemens / Meter -->0.10442 Mho / Zentimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.10442 Mho / Zentimeter <-- Ohmsche Leitfähigkeit
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Rahul Gupta
Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration
​ LaTeX ​ Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters
​ LaTeX ​ Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen Formel

​LaTeX ​Gehen
Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
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