Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))
if(igbt) = (-Vce(igbt)+sqrt((Vce(igbt))^2+4*Rce(igbt)*((Tjmax(igbt)-Tc(igbt))/Rth(jc)(igbt))))/(2*Rce(igbt))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 6 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Durchlassstrom (IGBT) - (Gemessen in Ampere) - Der Durchlassstrom (IGBT) ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) - (Gemessen in Volt) - Die Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) wird als Kollektor-Emitter-Spannung bezeichnet (V
Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT), auch Durchlasswiderstand genannt (R
Maximale Betriebsspannung (IGBT) - (Gemessen in Kelvin) - Die maximale Betriebstemperatur (IGBT) ist die höchste Temperatur, bei der der IGBT sicher betrieben werden kann. Sie wird normalerweise in Grad Celsius (°C) angegeben.
Gehäusetemperatur IGBT - (Gemessen in Kelvin) - Die Gehäusetemperatur IGBT ist die Temperatur des Metallgehäuses des IGBT. Sie wird normalerweise in Grad Celsius (°C) gemessen.
Thermischer Widerstand (IGBT) - (Gemessen in Ohm) - Der thermische Widerstand (IGBT) ist der Widerstand eines Materials gegen den Wärmefluss. Er ist ein Maß dafür, wie gut ein Material Wärme leitet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT): 21.56 Volt --> 21.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT): 12.546 Kiloohm --> 12546 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Maximale Betriebsspannung (IGBT): 283 Celsius --> 556.15 Kelvin (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gehäusetemperatur IGBT: 250 Celsius --> 523.15 Kelvin (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Thermischer Widerstand (IGBT): 0.456 Kiloohm --> 456 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
if(igbt) = (-Vce(igbt)+sqrt((Vce(igbt))^2+4*Rce(igbt)*((Tjmax(igbt)-Tc(igbt))/Rth(jc)(igbt))))/(2*Rce(igbt)) --> (-21.56+sqrt((21.56)^2+4*12546*((556.15-523.15)/456)))/(2*12546)
Auswerten ... ...
if(igbt) = 0.00169155334065811
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00169155334065811 Ampere -->1.69155334065811 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.69155334065811 1.691553 Milliampere <-- Durchlassstrom (IGBT)
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

IGBT Taschenrechner

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
​ LaTeX ​ Gehen Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)
IGBT-Ausschaltzeit
​ LaTeX ​ Gehen Ausschaltzeit (IGBT) = Verzögerungszeit (IGBT)+Anfängliche Abfallzeit (IGBT)+Endgültige Abfallzeit (IGBT)
Eingangskapazität des IGBT
​ LaTeX ​ Gehen Eingangskapazität (IGBT) = Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)+Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
Emitterstrom des IGBT
​ LaTeX ​ Gehen Emitterstrom (IGBT) = Löcherstrom (IGBT)+Elektronischer Strom (IGBT)

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT Formel

​LaTeX ​Gehen
Durchlassstrom (IGBT) = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT)+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT))^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT)*((Maximale Betriebsspannung (IGBT)-Gehäusetemperatur IGBT)/Thermischer Widerstand (IGBT))))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT))
if(igbt) = (-Vce(igbt)+sqrt((Vce(igbt))^2+4*Rce(igbt)*((Tjmax(igbt)-Tc(igbt))/Rth(jc)(igbt))))/(2*Rce(igbt))
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