Rauschfaktor GaAs MESFET Taschenrechner

Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)
NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 7 Variablen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)Lärmfaktor - (Gemessen in Dezibel) - Der Rauschfaktor ist ein Maß dafür, wie stark ein Gerät das Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) eines Signals beim Durchgang verschlechtert.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der eine sinusförmige Wellenform im Zusammenhang mit elektrischen Schaltkreisen und Signalen schwingt.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
Transkonduktanz des MESFET - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Quellenwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der dem Quellenanschluss des Transistors zugeordnet ist.
Gate-Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Widerstand bezieht sich auf den Widerstand, der mit dem Gate-Anschluss eines Feldeffekttransistors (FET) verbunden ist.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der am Eingangsanschluss des Geräts anliegt.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)