NMOS als linearer Widerstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))
Diese formel verwendet 7 Variablen
Verwendete Variablen
Linearer Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der lineare Widerstand fungiert im linearen Bereich als variabler Widerstand und im Sättigungsbereich als Stromquelle.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich innerhalb der Oberflächenschicht eines Materials zu bewegen oder zu leiten, wenn es einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Länge des Kanals: 3 Mikrometer --> 3E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals: 2.2 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 2.2 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 2.02 Mikrofarad --> 2.02E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Breite des Kanals: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-Source-Spannung: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))
Auswerten ... ...
rDS = 7960.70173055041
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
7960.70173055041 Ohm -->7.96070173055041 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
7.96070173055041 7.960702 Kiloohm <-- Linearer Widerstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)
NMOS als linearer Widerstand
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor
​ LaTeX ​ Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

NMOS als linearer Widerstand Formel

​LaTeX ​Gehen
Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))

Was ist die Bedingung, um den MOSFET als linearen Widerstand zu verwenden?

Wenn Sie die Gate-Spannung langsam erhöhen, beginnt der MOSFET langsam zu leiten, indem er in den linearen Bereich eintritt, in dem er beginnt, eine Spannung über ihm zu entwickeln, die wir V nennen

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!