Nettoänderungsrate im Leitungsband Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)
αr = TG/(ni^2)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Verhältnismäßigkeit für Rekombination - (Gemessen in Kubikmeter pro Sekunde) - Die Proportionalität für die Rekombination wird durch das Symbol αr bezeichnet.
Thermische Erzeugung - Rekombinationsraten der thermischen Erzeugung, die so ausgeglichen sind, dass die Nettoladungsträgerdichte konstant bleibt.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Mit der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration wird die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen oder undotierten Halbleitermaterial im thermischen Gleichgewicht beschrieben.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Thermische Erzeugung: 87000000000 --> Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Trägerkonzentration: 270000000 1 pro Kubikmeter --> 270000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
αr = TG/(ni^2) --> 87000000000/(270000000^2)
Auswerten ... ...
αr = 1.19341563786008E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.19341563786008E-06 Kubikmeter pro Sekunde --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.19341563786008E-06 1.2E-6 Kubikmeter pro Sekunde <-- Verhältnismäßigkeit für Rekombination
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Energieband und Ladungsträger Taschenrechner

Energie des Elektrons bei gegebener Coulomb-Konstante
​ LaTeX ​ Gehen Energie des Elektrons = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Mögliche Bohrlochlänge^2)
Steady-State-Elektronenkonzentration
​ LaTeX ​ Gehen Steady-State-Carrier-Konzentration = Elektronenkonzentration im Leitungsband+Überschüssige Trägerkonzentration
Valenzbandenergie
​ LaTeX ​ Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke
Energielücke
​ LaTeX ​ Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

Nettoänderungsrate im Leitungsband Formel

​LaTeX ​Gehen
Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)
αr = TG/(ni^2)

Wie findet man die Konzentration eines Lochs?

Berechnen Sie die Elektronen- und Löcherkonzentration in intrinsischem Si bei Raumtemperatur, wenn seine elektrische Leitfähigkeit 4x10-4 Mho/M beträgt. Angenommen, die Mobilität von Elektronen = 0,14 m2/V-s und die Mobilität von Löchern = 0,04 m2/ - Applied Physics 1. 0,14 m2/V-s und die Mobilität von Löchern = 0,04 m2/V-s.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!