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N-Typ-Breite Taschenrechner

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SSD-Verbindung Elektronen und Löcher Energieband und Ladungsträger Halbleiterträger

✖Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.ⓘ Gesamtakzeptanzgebühr [\|Q\|]			+10% -10%
✖Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.ⓘ Kreuzungsbereich [A_j]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%

✖Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.ⓘ N-Typ-Breite [x_no]

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N-Typ-Breite Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Ladungsdurchdringung N-Typ - (Gemessen in Meter) - Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.
Gesamtakzeptanzgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtakzeptanzgebühr: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
Kreuzungsbereich: 5401.3 Quadratmikrometer --> 5.4013E-09 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Akzeptorkonzentration: 7.9E+35 1 pro Kubikmeter --> 7.9E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e]) --> 13/(5.4013E-09*7.9E+35*[Charge-e])

Auswerten ... ...

x_no = 1.90154922096807E-08

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.90154922096807E-08 Meter -->0.0190154922096807 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0190154922096807 ≈ 0.019015 Mikrometer <-- Ladungsdurchdringung N-Typ

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

LaTeX Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Serienwiderstand im P-Typ

LaTeX Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

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LaTeX Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

N-Typ-Breite

LaTeX Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

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N-Typ-Breite Formel

LaTeX Gehen

Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])
x_no = |Q|/(A_j*N_a*[Charge-e])

Was sind Diffusions- und Driftströme?

Der Driftstrom hängt vom angelegten elektrischen Feld ab. Wenn kein elektrisches Feld vorhanden ist, liegt kein Driftstrom vor. Der Diffusionsstrom tritt auf, obwohl kein elektrisches Feld an den Halbleiter angelegt wird.

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