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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Taschenrechner

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✖Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.ⓘ Transkonduktanz im MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des Geräts.ⓘ Gate-Drain-Kapazität [C_gd]			+10% -10%

✖Die Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Spannungsverstärkung des Geräts in einer Common-Source-Konfiguration mit einer ohmschen Last auf 1 (0 dB) abfällt.ⓘ MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz [f_t]

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Formel

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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Formel

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Beispiel

37.41497 kHz = \frac{2.2 S}{56 μF + 2.8 μF}

Taschenrechner

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MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET - (Gemessen in Hertz) - Die Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Spannungsverstärkung des Geräts in einer Common-Source-Konfiguration mit einer ohmschen Last auf 1 (0 dB) abfällt.
Transkonduktanz im MOSFET - (Gemessen in Siemens) - Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des Geräts.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz im MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Drain-Kapazität: 2.8 Mikrofarad --> 2.8E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Auswerten ... ...

f_t = 37414.9659863946

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohertz <-- Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

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Kanalwiderstand

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