MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.ⓘ Overdrive-Spannung [V_ov]			+10% -10%

✖Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung [k'_n]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung)
k'_n = g_m/(WL*V_ov)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Overdrive-Spannung - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Overdrive-Spannung: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

k'_n = g_m/(WL*V_ov) --> 0.0005/(0.1*0.32)

Auswerten ... ...

k'_n = 0.015625

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.015625 Ampere pro Quadratvolt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.015625 Ampere pro Quadratvolt <-- Transkonduktanzparameter verarbeiten

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Steilheit » MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< Steilheit Taschenrechner

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

LaTeX Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

LaTeX Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

LaTeX Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung

Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

LaTeX Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Mehr sehen >>

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung Formel

LaTeX Gehen

Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung)
k'_n = g_m/(WL*V_ov)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!