MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%

✖Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.ⓘ MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz [k_n]

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MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis
k_n = k'_n*WL
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.015 Ampere pro Quadratvolt --> 0.015 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

k_n = k'_n*WL --> 0.015*0.1

Auswerten ... ...

k_n = 0.0015

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0015 Ampere pro Quadratvolt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0015 Ampere pro Quadratvolt <-- Transkonduktanzparameter

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

LaTeX Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

LaTeX Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

LaTeX Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung

Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

LaTeX Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Mehr sehen >>

MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz Formel

LaTeX Gehen

Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis
k_n = k'_n*WL

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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