MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität Taschenrechner

Transkonduktanz im MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*(Breite des Transistors/Transistorlänge)*Stromverbrauch)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 6 Variablen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)Transkonduktanz im MOSFET - (Gemessen in Siemens) - Die Steilheit im MOSFET ist ein Schlüsselparameter, der die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Ausgangsstrom beschreibt.
Elektronenmobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Elektronenmobilität beschreibt, wie schnell sich Elektronen als Reaktion auf ein elektrisches Feld durch das Material bewegen können.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.
Breite des Transistors - (Gemessen in Meter) - Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Transistorlänge - (Gemessen in Meter) - Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des Transistors fließt.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)