MOSFET-Transkonduktanz Taschenrechner

✖Eine Änderung des Drain-Stroms zeigt die Änderung der Stromleitfähigkeit des Siliziumchips an. Es kann als Orientierungshilfe beim Vergleich verschiedener Geräte verwendet werden.ⓘ Änderung des Drainstroms [ΔI_d]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ MOSFET-Transkonduktanz [g_m]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

MOSFET-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Steilheit = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung
g_m = ΔI_d/V_gs
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Änderung des Drainstroms - (Gemessen in Ampere) - Eine Änderung des Drain-Stroms zeigt die Änderung der Stromleitfähigkeit des Siliziumchips an. Es kann als Orientierungshilfe beim Vergleich verschiedener Geräte verwendet werden.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Änderung des Drainstroms: 2 Milliampere --> 0.002 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Auswerten ... ...

g_m = 0.0005

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.5 Millisiemens <-- Steilheit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Steilheit » MOSFET-Transkonduktanz

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< Steilheit Taschenrechner

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

LaTeX Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

LaTeX Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

LaTeX Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung

Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

LaTeX Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Mehr sehen >>

MOSFET-Transkonduktanz Formel

LaTeX Gehen

Steilheit = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung
g_m = ΔI_d/V_gs

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!