✖Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Kanallänge [L] | | | +10% -10% |
✖Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich durch die Oberfläche eines Halbleitermaterials zu bewegen oder zu wandern, beispielsweise einen Siliziumkanal in einem Transistor.ⓘ Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals [μs] | | | +10% -10% |
✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [Cox] | | | +10% -10% |
✖Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.ⓘ Kanalbreite [Wc] | | | +10% -10% |
✖Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [Veff] | | | +10% -10% |