Mobilität in Mosfet Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht
μeff = Kp/Cox
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Mobilität im MOSFET - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Mobilität in MOSFETs basiert auf der Fähigkeit eines Elektrons, sich schnell durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
K Prime - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - K Prime ist die umgekehrte Geschwindigkeitskonstante der Reaktion.
Kapazität der Gate-Oxidschicht - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
K Prime: 4.502 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.0004502 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kapazität der Gate-Oxidschicht: 29.83 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 29.83 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Auswerten ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.50921890714046E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde -->0.150921890714046 Quadratzentimeter pro Voltsekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.150921890714046 0.150922 Quadratzentimeter pro Voltsekunde <-- Mobilität im MOSFET
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
​ LaTeX ​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mobilität in Mosfet Formel

​LaTeX ​Gehen
Mobilität im MOSFET = K Prime/Kapazität der Gate-Oxidschicht
μeff = Kp/Cox

Wie wirkt sich Mobilität auf die Funktion von CMOS aus?

Unter Mobilität versteht man bei CMOS die Bewegung von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in den Transistorkanälen. Es beeinflusst die Stromverstärkung und den Strombestand des Transistors und damit die Gesamtfunktion der CMOS-Schaltung. Die Mobilität bestimmt die Schaltgeschwindigkeit und die anwendbare Gate-Spannung eines CMOS-Transistors.

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