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✖
Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
ⓘ
Transkonduktanz des MESFET [G
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Mikromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Quantisierte Hallleitfähigkeit
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
ⓘ
Gate-Source-Kapazität [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Dekafarad
Dezifarad
EMU der Kapazitanz
ESU der Kapazität
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Pikofarad
Statfarad
Terrafarad
+10%
-10%
✖
Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.
ⓘ
MESFET-Grenzfrequenz [f
co
]
Attohertz
Schläge / Minute
Zentihertz
Zyklus / Sekunde
Dekahertz
Dezihertz
Exahertz
Femtohertz
Frames pro Sekunde
Gigahertz
Hektohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
Mikrohertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Pikohertz
Revolution pro Tag
Umdrehung pro Stunde
Umdrehung pro Minute
Revolution pro Sekunde
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
MESFET-Grenzfrequenz
Formel
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Beispiel
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Taschenrechner
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Herunterladen Mikrowellenhalbleiterbauelemente Formel Pdf
MESFET-Grenzfrequenz Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
MESFET-Grenzfrequenz
=
Transkonduktanz des MESFET
/(2*
pi
*
Gate-Source-Kapazität
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Diese formel verwendet
1
Konstanten
,
3
Variablen
Verwendete Konstanten
pi
- Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
MESFET-Grenzfrequenz
-
(Gemessen in Hertz)
- Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.
Transkonduktanz des MESFET
-
(Gemessen in Siemens)
- Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
Gate-Source-Kapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanz des MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität:
56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Auswerten ... ...
f
co
= 179.253938762358
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
179.253938762358 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
179.253938762358
≈
179.2539 Hertz
<--
MESFET-Grenzfrequenz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Transistorverstärker
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MESFET-Grenzfrequenz
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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10+ Transistorverstärker Taschenrechner
Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor
Gehen
Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers
=
Signalfrequenz
/
Ausgangsfrequenz
*(
Signalfrequenz
/
Ausgangsfrequenz
*(
Leistungszahl
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Signalfrequenz
/
Ausgangsfrequenz
*(
Leistungszahl
)^2)))^2
Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET
Gehen
Degradationsfaktor gewinnen
=
Ausgangsfrequenz
/
Signalfrequenz
*(
Signalfrequenz
/
Ausgangsfrequenz
*(
Leistungszahl
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Signalfrequenz
/
Ausgangsfrequenz
*(
Leistungszahl
)^2)))^2
Rauschfaktor GaAs MESFET
Gehen
Lärmfaktor
= 1+2*
Winkelfrequenz
*
Gate-Source-Kapazität
/
Transkonduktanz des MESFET
*
sqrt
((
Quellenwiderstand
-
Gate-Widerstand
)/
Eingangswiderstand
)
Maximale Betriebsfrequenz
Gehen
Maximale Betriebsfrequenz
=
MESFET-Grenzfrequenz
/2*
sqrt
(
Abflusswiderstand
/(
Quellenwiderstand
+
Eingangswiderstand
+
Widerstand der Gate-Metallisierung
))
Maximal zulässige Leistung
Gehen
Maximal zulässige Leistung
= 1/(
Reaktanz
*
Transitzeit-Grenzfrequenz
^2)*(
Maximales elektrisches Feld
*
Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit
/(2*
pi
))^2
Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors
Gehen
Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors
= (
Transitzeit-Grenzfrequenz
/
Frequenz der Leistungsverstärkung
)^2*
Ausgangsimpedanz
/
Eingangsimpedanz
Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET
Gehen
Transkonduktanz des MESFET
=
Ausgangsleitfähigkeit
*(1-
sqrt
((
Eingangsspannung
-
Grenzspannung
)/
Abschnürspannung
))
MESFET-Grenzfrequenz
Gehen
MESFET-Grenzfrequenz
=
Transkonduktanz des MESFET
/(2*
pi
*
Gate-Source-Kapazität
)
Transitwinkel
Gehen
Transitwinkel
=
Winkelfrequenz
*
Länge des Driftraums
/
Trägerdriftgeschwindigkeit
Maximale Schwingungsfrequenz
Gehen
Maximale Schwingungsfrequenz
=
Sättigungsgeschwindigkeit
/(2*
pi
*
Kanallänge
)
MESFET-Grenzfrequenz Formel
MESFET-Grenzfrequenz
=
Transkonduktanz des MESFET
/(2*
pi
*
Gate-Source-Kapazität
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
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