Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET Taschenrechner

✖Die Eins-Verstärkungsfrequenz ist definiert als die Frequenz des Verstärkers, wenn die Leistungsverstärkung Eins beträgt.ⓘ Einheitsgewinnfrequenz [f_t]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Abflusswiderstand [R_d]			+10% -10%
✖Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.ⓘ Gate-Metallisierungswiderstand [R_g]			+10% -10%

✖Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.ⓘ Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET [f_m]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MESFET-Eigenschaften Formeln Pdf PDF Image

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Maximale Schwingungsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.
Einheitsgewinnfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Eins-Verstärkungsfrequenz ist definiert als die Frequenz des Verstärkers, wenn die Leistungsverstärkung Eins beträgt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Gate-Metallisierungswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Einheitsgewinnfrequenz: 10.3 Hertz --> 10.3 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 450 Ohm --> 450 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Metallisierungswiderstand: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g) --> (10.3/2)*sqrt(450/2.8)

Auswerten ... ...

f_m = 65.2881661777779

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

65.2881661777779 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

65.2881661777779 ≈ 65.28817 Hertz <-- Maximale Schwingungsfrequenz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Mikrowellentheorie » Mikrowellenhalbleiterbauelemente » MESFET-Eigenschaften » Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Gate-Länge des MESFET

LaTeX Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

LaTeX Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Gate-Source-Kapazität

LaTeX Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

LaTeX Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Mehr sehen >>

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET Formel

LaTeX Gehen

Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)

Was ist MESFET?

Ein MESFET (Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein Feldeffekttransistor-Halbleiterbauelement ähnlich einem JFET mit einem Schottky-Übergang (Metall-Halbleiter) anstelle eines AP-Übergangs für ein Gate.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!