Maximale Erschöpfungstiefe Taschenrechner

✖Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.ⓘ Bulk-Fermi-Potenzial [Φ_f]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration des Akzeptors [N_A]			+10% -10%

✖Die maximale Verarmungstiefe bezieht sich auf das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt.ⓘ Maximale Erschöpfungstiefe [x_dm]

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Maximale Erschöpfungstiefe Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximale Erschöpfungstiefe = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))
x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A))
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 2 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
modulus - Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird., modulus

Verwendete Variablen

Maximale Erschöpfungstiefe - (Gemessen in Meter) - Die maximale Verarmungstiefe bezieht sich auf das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt.
Bulk-Fermi-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
Dopingkonzentration des Akzeptors - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Bulk-Fermi-Potenzial: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Akzeptors: 1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000))

Auswerten ... ...

x_dm = 7437907.45302539

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7437907.45302539 Meter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7437907.45302539 ≈ 7.4E+6 Meter <-- Maximale Erschöpfungstiefe

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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