Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern
n0 = ni^2/p0
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Konzentration der Mehrheit der Träger - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Majority Carrier Concentration ist die Anzahl der Träger im Leitungsband ohne extern angelegte Vorspannung.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Trägerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Konzentration von Minderheitsträgern - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Minoritätsträgerkonzentration ist die Anzahl der Träger im Valenzband ohne extern angelegte Vorspannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Intrinsische Trägerkonzentration: 120000000 1 pro Kubikmeter --> 120000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Konzentration von Minderheitsträgern: 91000000 1 pro Kubikmeter --> 91000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Auswerten ... ...
n0 = 158241758.241758
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
158241758.241758 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
158241758.241758 1.6E+8 1 pro Kubikmeter <-- Konzentration der Mehrheit der Träger
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern
​ LaTeX ​ Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)
Elektronendiffusionslänge
​ LaTeX ​ Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)
Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter
​ LaTeX ​ Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2
Mobilität von Ladungsträgern
​ LaTeX ​ Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern Formel

​LaTeX ​Gehen
Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern
n0 = ni^2/p0

Was ist ein Massenaktionsgesetz?

In einem Halbleiter im thermischen Gleichgewicht (bei konstanter Temperatur) ist das Produkt aus Löchern und Elektronen immer konstant und gleich dem Quadrat des intrinsischen Halbleiters.

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