Hauptachse des elliptischen Risslochs in einer flachen Platte bei gegebenem theoretischen Spannungskonzentrationsfaktor Taschenrechner

✖Die Nebenachse eines elliptischen Risses ist der kürzeste Durchmesser eines elliptischen Risses und beeinflusst die Spannungskonzentration und strukturelle Integrität im mechanischen Design.ⓘ Kleinere Achse eines elliptischen Risses [b_e]			+10% -10%
✖Der theoretische Spannungskonzentrationsfaktor ist ein dimensionsloser Wert, der die Spannungszunahme an einem bestimmten Punkt in einem Material aufgrund geometrischer Diskontinuitäten quantifiziert.ⓘ Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor [k_t]			+10% -10%

✖Die Hauptachse eines elliptischen Risses ist der längste Durchmesser eines elliptischen Risses und beeinflusst die Spannungskonzentration und strukturelle Integrität im mechanischen Design unter schwankenden Lasten.ⓘ Hauptachse des elliptischen Risslochs in einer flachen Platte bei gegebenem theoretischen Spannungskonzentrationsfaktor [a_e]

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Hauptachse des elliptischen Risslochs in einer flachen Platte bei gegebenem theoretischen Spannungskonzentrationsfaktor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Hauptachse des elliptischen Risses = Kleinere Achse eines elliptischen Risses*(Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor-1)
a_e = b_e*(k_t-1)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Hauptachse des elliptischen Risses - (Gemessen in Meter) - Die Hauptachse eines elliptischen Risses ist der längste Durchmesser eines elliptischen Risses und beeinflusst die Spannungskonzentration und strukturelle Integrität im mechanischen Design unter schwankenden Lasten.
Kleinere Achse eines elliptischen Risses - (Gemessen in Meter) - Die Nebenachse eines elliptischen Risses ist der kürzeste Durchmesser eines elliptischen Risses und beeinflusst die Spannungskonzentration und strukturelle Integrität im mechanischen Design.
Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor - Der theoretische Spannungskonzentrationsfaktor ist ein dimensionsloser Wert, der die Spannungszunahme an einem bestimmten Punkt in einem Material aufgrund geometrischer Diskontinuitäten quantifiziert.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kleinere Achse eines elliptischen Risses: 15 Millimeter --> 0.015 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor: 3 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

a_e = b_e*(k_t-1) --> 0.015*(3-1)

Auswerten ... ...

a_e = 0.03

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.03 Meter -->30 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

30 Millimeter <-- Hauptachse des elliptischen Risses

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Saurabh Patil

Shri Govindram Seksaria Institut für Technologie und Wissenschaft (SGSITS), Indore

Saurabh Patil hat diesen Rechner und 700+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ravi Khiyani

Shri Govindram Seksaria Institut für Technologie und Wissenschaft (SGSITS), Indore

Ravi Khiyani hat diesen Rechner und 300+ weitere Rechner verifiziert!

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Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor

Gehen Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor = Höchster Wert der tatsächlichen Spannung in der Nähe der Diskontinuität/Nominelle Spannung

Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor für elliptische Risse

Gehen Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor = 1+Hauptachse des elliptischen Risses/Kleinere Achse eines elliptischen Risses

Mittlere Spannung bei schwankender Belastung

Gehen Mittlere Spannung bei schwankender Belastung = (Maximale Spannung an der Rissspitze+Minimale Spannung an der Rissspitze)/2

Nennzugspannung in einer flachen Platte mit Schulterverrundung

Gehen Nominelle Spannung = Last auf flacher Platte/(Kleinere Plattenbreite*Dicke der Platte)

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Hauptachse des elliptischen Risslochs in einer flachen Platte bei gegebenem theoretischen Spannungskonzentrationsfaktor Formel

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Hauptachse des elliptischen Risses = Kleinere Achse eines elliptischen Risses*(Theoretischer Spannungskonzentrationsfaktor-1)
a_e = b_e*(k_t-1)

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