Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS Taschenrechner

✖Die PMOS-Gate-Drain-Kapazität ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines PMOS-Transistors und beeinflusst dessen Schaltgeschwindigkeit und Stromverbrauch in digitalen Schaltungsanwendungen.ⓘ PMOS-Gate-Drain-Kapazität [C_gd,p]			+10% -10%
✖Die NMOS-Gate-Drain-Kapazität ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines NMOS-Transistors und beeinflusst dessen Schaltgeschwindigkeit und Stromverbrauch in digitalen Schaltungsanwendungen.ⓘ NMOS-Gate-Drain-Kapazität [C_gd,n]			+10% -10%
✖Die PMOS-Drain-Bulk-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen dem Drain-Anschluss und dem Substrat eines PMOS-Transistors und beeinflusst dessen Verhalten in verschiedenen Schaltungsanwendungen.ⓘ PMOS-Drain-Massenkapazität [C_db,p]			+10% -10%
✖Die NMOS-Drain-Bulk-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen dem Drain-Anschluss und dem Bulk (Substrat) eines NMOS-Transistors, die sich auf seine Schalteigenschaften und die Gesamtleistung auswirkt.ⓘ NMOS-Drain-Massenkapazität [C_db,n]			+10% -10%
✖Die interne Kapazität des CMOS-Inverters bezieht sich auf die parasitären Kapazitäten innerhalb eines CMOS-Inverters, einschließlich Übergangs- und Überlappungskapazitäten, die dessen Schaltgeschwindigkeit und Stromverbrauch beeinflussen.ⓘ Interne Kapazität des Inverter-CMOS [C_in]			+10% -10%
✖Die Inverter-CMOS-Gate-Kapazität ist die Gesamtkapazität am Gate-Anschluss eines CMOS-Inverters, die sich auf die Schaltgeschwindigkeit und den Stromverbrauch auswirkt (bestehend aus Gate-zu-Source).ⓘ Inverter-CMOS-Gate-Kapazität [C_g]			+10% -10%

✖Die Lastkapazität des CMOS-Inverters ist die Kapazität, die durch den Ausgang eines CMOS-Inverters gesteuert wird, einschließlich Verkabelung, Eingangskapazitäten angeschlossener Gates und parasitärer Kapazitäten.ⓘ Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS [C_load]

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Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Inverter-CMOS-Lastkapazität = PMOS-Gate-Drain-Kapazität+NMOS-Gate-Drain-Kapazität+PMOS-Drain-Massenkapazität+NMOS-Drain-Massenkapazität+Interne Kapazität des Inverter-CMOS+Inverter-CMOS-Gate-Kapazität
C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g
Diese formel verwendet 7 Variablen

Verwendete Variablen

Inverter-CMOS-Lastkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Lastkapazität des CMOS-Inverters ist die Kapazität, die durch den Ausgang eines CMOS-Inverters gesteuert wird, einschließlich Verkabelung, Eingangskapazitäten angeschlossener Gates und parasitärer Kapazitäten.
PMOS-Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die PMOS-Gate-Drain-Kapazität ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines PMOS-Transistors und beeinflusst dessen Schaltgeschwindigkeit und Stromverbrauch in digitalen Schaltungsanwendungen.
NMOS-Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die NMOS-Gate-Drain-Kapazität ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines NMOS-Transistors und beeinflusst dessen Schaltgeschwindigkeit und Stromverbrauch in digitalen Schaltungsanwendungen.
PMOS-Drain-Massenkapazität - (Gemessen in Farad) - Die PMOS-Drain-Bulk-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen dem Drain-Anschluss und dem Substrat eines PMOS-Transistors und beeinflusst dessen Verhalten in verschiedenen Schaltungsanwendungen.
NMOS-Drain-Massenkapazität - (Gemessen in Farad) - Die NMOS-Drain-Bulk-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen dem Drain-Anschluss und dem Bulk (Substrat) eines NMOS-Transistors, die sich auf seine Schalteigenschaften und die Gesamtleistung auswirkt.
Interne Kapazität des Inverter-CMOS - (Gemessen in Farad) - Die interne Kapazität des CMOS-Inverters bezieht sich auf die parasitären Kapazitäten innerhalb eines CMOS-Inverters, einschließlich Übergangs- und Überlappungskapazitäten, die dessen Schaltgeschwindigkeit und Stromverbrauch beeinflussen.
Inverter-CMOS-Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Inverter-CMOS-Gate-Kapazität ist die Gesamtkapazität am Gate-Anschluss eines CMOS-Inverters, die sich auf die Schaltgeschwindigkeit und den Stromverbrauch auswirkt (bestehend aus Gate-zu-Source).

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

PMOS-Gate-Drain-Kapazität: 0.15 Femtofarad --> 1.5E-16 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
NMOS-Gate-Drain-Kapazität: 0.1 Femtofarad --> 1E-16 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
PMOS-Drain-Massenkapazität: 0.25 Femtofarad --> 2.5E-16 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
NMOS-Drain-Massenkapazität: 0.2 Femtofarad --> 2E-16 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Interne Kapazität des Inverter-CMOS: 0.05 Femtofarad --> 5E-17 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Inverter-CMOS-Gate-Kapazität: 0.18 Femtofarad --> 1.8E-16 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g --> 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16

Auswerten ... ...

C_load = 9.3E-16

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

9.3E-16 Farad -->0.93 Femtofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.93 Femtofarad <-- Inverter-CMOS-Lastkapazität

(Berechnung in 00.009 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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Maximale Eingangsspannung CMOS

LaTeX Gehen Maximale Eingangsspannung CMOS = (2*Ausgangsspannung für maximalen Eingang+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)-Versorgungsspannung+Steilheitsverhältnis*Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias)/(1+Steilheitsverhältnis)

Schwellenspannung CMOS

LaTeX Gehen Grenzspannung = (Schwellenspannung von NMOS ohne Body-Bias+sqrt(1/Steilheitsverhältnis)*(Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)))/(1+sqrt(1/Steilheitsverhältnis))

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