Länge der p-seitigen Verbindung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Variablen
Länge der P-seitigen Kreuzung - (Gemessen in Meter) - Die Länge des p-seitigen Übergangs ist definiert als die durchschnittliche Länge, die ein Träger zwischen Erzeugung und Rekombination zurücklegt.
Optischer Strom - (Gemessen in Ampere) - Optischer Strom ist ein Stromsensor zur Messung von Gleichstrom. Durch die Verwendung einer Single-Ended-Glasfaser um den Stromleiter herum.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.
Optische Erzeugungsrate - Optische Erzeugung: Bewerten Sie die Anzahl der Elektronen, die an jedem Punkt im Gerät aufgrund der Absorption von Photonen erzeugt werden.
Kreuzungsübergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite einer Kreuzung ist definiert als der räumliche Bereich, in dem sich die Breite einer Kreuzung von einem Wert zu einem anderen ändert.
Diffusionslänge des Übergangsbereichs - (Gemessen in Meter) - Die Diffusionslänge des Übergangsbereichs ist definiert als Diffusionslänge und ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Ladungsträger zurücklegen können, bevor sie sich rekombinieren.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Optischer Strom: 0.135 Milliampere --> 0.000135 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kreuzungsbereich: 5401.3 Quadratmikrometer --> 5.4013E-09 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Optische Erzeugungsrate: 2.9E+19 --> Keine Konvertierung erforderlich
Kreuzungsübergangsbreite: 0.025 Mikrometer --> 2.5E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Diffusionslänge des Übergangsbereichs: 0.0056 Mikrometer --> 5.6E-09 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif) --> (0.000135/([Charge-e]*5.4013E-09*2.9E+19))-(2.5E-08+5.6E-09)
Auswerten ... ...
Lp = 5379.31629748251
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5379.31629748251 Meter -->5379316297.48251 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5379316297.48251 5.4E+9 Mikrometer <-- Länge der P-seitigen Kreuzung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

SSD-Verbindung Taschenrechner

Sperrschichtkapazität
​ LaTeX ​ Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))
Serienwiderstand im P-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang
Sperrschichtspannung
​ LaTeX ​ Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom
N-Typ-Breite
​ LaTeX ​ Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Länge der p-seitigen Verbindung Formel

​LaTeX ​Gehen
Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)

Wie breit ist der pn-Übergang?

Die physische Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung. Abbildung 11.4. Vereinfachte Darstellung eines pn-Übergangs.

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