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VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Mobilität in MOSFETs basiert auf der Fähigkeit eines Elektrons, sich schnell durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.ⓘ Mobilität im MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Kapazität der Gate-Oxidschicht [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime ist die umgekehrte Geschwindigkeitskonstante der Reaktion.ⓘ K-Prime [K_p]

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K-Prime Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht
K_p = μ_eff*C_ox
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

K Prime - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - K Prime ist die umgekehrte Geschwindigkeitskonstante der Reaktion.
Mobilität im MOSFET - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Mobilität in MOSFETs basiert auf der Fähigkeit eines Elektrons, sich schnell durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
Kapazität der Gate-Oxidschicht - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mobilität im MOSFET: 0.15 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 1.5E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazität der Gate-Oxidschicht: 29.83 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 29.83 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Auswerten ... ...

K_p = 0.00044745

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00044745 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde -->4.4745 Quadratzentimeter pro Voltsekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.4745 Quadratzentimeter pro Voltsekunde <-- K Prime

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

LaTeX Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Mehr sehen >>

K-Prime Formel

LaTeX Gehen

K Prime = Mobilität im MOSFET*Kapazität der Gate-Oxidschicht
K_p = μ_eff*C_ox

Was ist ein Transistor?

In der Elektronik ist ein Transistor eine Halbleitervorrichtung, die üblicherweise zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet wird. Der Transistor ist der Grundbaustein von Computern und allen anderen modernen elektronischen Geräten. Einige Transistoren sind einzeln verpackt, die meisten befinden sich jedoch in integrierten Schaltkreisen.

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