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Kreuzungsübergangsbreite Taschenrechner

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SSD-Verbindung Elektronen und Löcher Energieband und Ladungsträger Halbleiterträger

✖Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.ⓘ Ladungsdurchdringung N-Typ [x_no]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%
✖Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration oder Dichte von Donoratomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%

✖Die Übergangsbreite einer Kreuzung ist definiert als der räumliche Bereich, in dem sich die Breite einer Kreuzung von einem Wert zu einem anderen ändert.ⓘ Kreuzungsübergangsbreite [W_j]

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Kreuzungsübergangsbreite Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kreuzungsübergangsbreite = Ladungsdurchdringung N-Typ*((Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)/Akzeptorkonzentration)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Kreuzungsübergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite einer Kreuzung ist definiert als der räumliche Bereich, in dem sich die Breite einer Kreuzung von einem Wert zu einem anderen ändert.
Ladungsdurchdringung N-Typ - (Gemessen in Meter) - Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration oder Dichte von Donoratomen in einem Halbleitermaterial.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ladungsdurchdringung N-Typ: 0.019 Mikrometer --> 1.9E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Akzeptorkonzentration: 7.9E+35 1 pro Kubikmeter --> 7.9E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Spenderkonzentration: 2.5E+35 1 pro Kubikmeter --> 2.5E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)

Auswerten ... ...

W_j = 2.50126582278481E-08

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.50126582278481E-08 Meter -->0.0250126582278481 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0250126582278481 ≈ 0.025013 Mikrometer <-- Kreuzungsübergangsbreite

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

LaTeX Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Serienwiderstand im P-Typ

LaTeX Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

Sperrschichtspannung

LaTeX Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

N-Typ-Breite

LaTeX Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Mehr sehen >>

Kreuzungsübergangsbreite Formel

LaTeX Gehen

Kreuzungsübergangsbreite = Ladungsdurchdringung N-Typ*((Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)/Akzeptorkonzentration)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)

Was sind Diffusions- und Driftströme?

Der Driftstrom hängt vom angelegten elektrischen Feld ab. Wenn kein elektrisches Feld vorhanden ist, liegt kein Driftstrom vor. Der Diffusionsstrom tritt auf, obwohl kein elektrisches Feld an den Halbleiter angelegt wird.

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