Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
xj' = xj/Sf
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung - (Gemessen in Meter) - Die Übergangstiefe nach vollständiger Skalierung ist definiert als der Abstand von der Oberfläche bis zu dem Punkt, an dem nach vollständiger Skalierung eine Änderung der Konzentration der Dotierstoffatome auftritt.
Verbindungstiefe - (Gemessen in Meter) - Die Übergangstiefe ist definiert als der Abstand von der Oberfläche eines Halbleitermaterials bis zu dem Punkt, an dem eine signifikante Änderung der Konzentration von Dotierstoffatomen auftritt.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor - Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Verbindungstiefe: 2 Mikrometer --> 2E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor: 1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
xj' = xj/Sf --> 2E-06/1.5
Auswerten ... ...
xj' = 1.33333333333333E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.33333333333333E-06 Meter -->1.33333333333333 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.33333333333333 1.333333 Mikrometer <-- Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
​ LaTeX ​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI Formel

​LaTeX ​Gehen
Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung = Verbindungstiefe/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
xj' = xj/Sf
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