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Anschluss integrierte Spannung VLSI Taschenrechner
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VLSI-Materialoptimierung
Analoges VLSI-Design
✖
Die Temperatur spiegelt wider, wie heiß oder kalt ein Objekt oder eine Umgebung ist.
ⓘ
Temperatur [T]
Celsius
Fahrenheit
Kelvin
Rankine
+10%
-10%
✖
Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
ⓘ
Akzeptorkonzentration [N
A
]
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
+10%
-10%
✖
Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
ⓘ
Spenderkonzentration [N
D
]
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
+10%
-10%
✖
Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht.
ⓘ
Intrinsische Konzentration [N
i
]
1 pro Kubikzentimeter
1 pro Kubikmeter
pro Liter
+10%
-10%
✖
Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.
ⓘ
Anschluss integrierte Spannung VLSI [Ø
0
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
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Anschluss integrierte Spannung VLSI Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingebaute Anschlussspannung
= (
[BoltZ]
*
Temperatur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Akzeptorkonzentration
*
Spenderkonzentration
/(
Intrinsische Konzentration
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
1
Funktionen
,
5
Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
Verwendete Funktionen
ln
- Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)
Verwendete Variablen
Eingebaute Anschlussspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die eingebaute Übergangsspannung ist definiert als die Spannung, die an einem Halbleiterübergang im thermischen Gleichgewicht anliegt, an dem keine externe Spannung angelegt wird.
Temperatur
-
(Gemessen in Kelvin)
- Die Temperatur spiegelt wider, wie heiß oder kalt ein Objekt oder eine Umgebung ist.
Akzeptorkonzentration
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Spenderkonzentration
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
Intrinsische Konzentration
-
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter)
- Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Temperatur:
300 Kelvin --> 300 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration:
1E+16 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+22 1 pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Spenderkonzentration:
1E+17 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+23 1 pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Intrinsische Konzentration:
14500000000 1 pro Kubikzentimeter --> 1.45E+16 1 pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Auswerten ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.75463200359389 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.75463200359389
≈
0.754632 Volt
<--
Eingebaute Anschlussspannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Anschluss integrierte Spannung VLSI
Credits
Erstellt von
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
Body-Effect-Koeffizient
LaTeX
Gehen
Körpereffektkoeffizient
=
modulus
((
Grenzspannung
-
Schwellenspannung DIBL
)/(
sqrt
(
Oberflächenpotential
+(
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
))-
sqrt
(
Oberflächenpotential
)))
DIBL-Koeffizient
LaTeX
Gehen
DIBL-Koeffizient
= (
Schwellenspannung DIBL
-
Grenzspannung
)/
Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
LaTeX
Gehen
Kanalgebühr
=
Gate-Kapazität
*(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Kritische Spannung
LaTeX
Gehen
Kritische Spannung
=
Kritisches elektrisches Feld
*
Elektrisches Feld über die Kanallänge
Mehr sehen >>
Anschluss integrierte Spannung VLSI Formel
LaTeX
Gehen
Eingebaute Anschlussspannung
= (
[BoltZ]
*
Temperatur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Akzeptorkonzentration
*
Spenderkonzentration
/(
Intrinsische Konzentration
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
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