Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Taschenrechner

✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Gate und Source eines Feldeffekttransistors (FET) wird als Gate-Source-Spannung (VGS) bezeichnet. Dies ist ein wichtiger Parameter, der den Betrieb des FET beeinflusst.ⓘ Spannung zwischen Gate und Source [V_GS]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_T]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.ⓘ Spannung zwischen Drain und Source [V_DS]			+10% -10%

✖Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.ⓘ Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS [Q_p]

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Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Ladung der Inversionsschicht - (Gemessen in Coulomb pro Quadratmeter) - Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Spannung zwischen Gate und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Gate und Source eines Feldeffekttransistors (FET) wird als Gate-Source-Spannung (VGS) bezeichnet. Dies ist ein wichtiger Parameter, der den Betrieb des FET beeinflusst.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.
Spannung zwischen Drain und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Oxidkapazität: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Gate und Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Drain und Source: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS) --> -0.0008*(2.86-0.7-2.45)

Auswerten ... ...

Q_p = 0.000232

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.000232 Coulomb pro Quadratmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.000232 Coulomb pro Quadratmeter <-- Ladung der Inversionsschicht

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE (GTBIT), NEU-DELHI

Aman Dhussawat hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS Formel

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Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)

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