Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Taschenrechner

✖Der Transkonduktanzparameter ist das Produkt des Prozesstranskonduktanzparameters und des Transistor-Seitenverhältnisses (W/L).ⓘ Transkonduktanzparameter [K_n]			+10% -10%
✖Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.ⓘ Spannung über Oxid [V_ox]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Gate und Source ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.ⓘ Spannung zwischen Gate und Source [V_gs]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source [i_d]

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Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter ist das Produkt des Prozesstranskonduktanzparameters und des Transistor-Seitenverhältnisses (W/L).
Spannung über Oxid - (Gemessen in Volt) - Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Spannung zwischen Gate und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Gate und Source ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter: 2.95 Milliampere pro Quadratvolt --> 0.00295 Ampere pro Quadratvolt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung über Oxid: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Gate und Source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Auswerten ... ...

i_d = 0.017489075

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.017489075 Ampere -->17.489075 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

17.489075 ≈ 17.48907 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

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Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source Formel

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Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Was ist MOSFET und seine Anwendung?

Der MOSFET wird zum Schalten oder Verstärken von Signalen verwendet. Die Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Menge der angelegten Spannung zu ändern, kann zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet werden. MOSFETs sind heute in digitalen und analogen Schaltungen noch häufiger als BJTs (Bipolartransistoren).

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