Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom
Rin = Vx/ix
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand 2 ist der Widerstand, den eine elektrische Komponente oder Schaltung dem Stromfluss entgegensetzt, wenn eine Spannung an sie angelegt wird.
Prüfspannung - (Gemessen in Volt) - Bei der Prüfspannung wird eine Minute lang eine Höchstspannung an die Isolationsbarriere des Geräts angelegt.
Teststrom - (Gemessen in Ampere) - Prüfstrom ist ein Fluss elektrischer Ladungsträger, meist Elektronen oder elektronenarme Atome.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Prüfspannung: 27 Volt --> 27 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Teststrom: 89 Milliampere --> 0.089 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rin = Vx/ix --> 27/0.089
Auswerten ... ...
Rin = 303.370786516854
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.303370786516854 0.303371 Kiloohm <-- Eingangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt
​ Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung
​ Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2
Gesamte momentane Drain-Spannung
​ Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch
Eingangsspannung im Transistor
​ Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung Formel

Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom
Rin = Vx/ix

Was ist die Verwendung einer Common-Gate-Schaltung?

Diese Schaltungskonfiguration wird normalerweise als Spannungsverstärker verwendet. Die Source des FET in dieser Konfiguration arbeitet als Eingang und Drain als Ausgang.

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