Eingangswiderstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)
Ri = ((Rd*fco^2)/(4*fm^2))-(Rg+Rs)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist definiert als der gesamte Innenwiderstand, den der MESFET erfährt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
Maximale Schwingungsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.
Gate-Metallisierungswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Quellenwiderstand ist ein Maß dafür, wie sehr diese Quelle der Last entgegenwirkt, wenn sie ihr Strom entzieht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Abflusswiderstand: 450 Ohm --> 450 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Maximale Schwingungsfrequenz: 65 Hertz --> 65 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Metallisierungswiderstand: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Quellenwiderstand: 5.75 Ohm --> 5.75 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ri = ((Rd*fco^2)/(4*fm^2))-(Rg+Rs) --> ((450*30.05^2)/(4*65^2))-(2.8+5.75)
Auswerten ... ...
Ri = 15.4944452662722
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
15.4944452662722 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
15.4944452662722 15.49445 Ohm <-- Eingangswiderstand
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Gate-Länge des MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
Grenzfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)
Gate-Source-Kapazität
​ LaTeX ​ Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
Transkonduktanz im MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Eingangswiderstand Formel

​LaTeX ​Gehen
Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)
Ri = ((Rd*fco^2)/(4*fm^2))-(Rg+Rs)

Was ist MESFET?

Ein MESFET (Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein Feldeffekttransistor-Halbleiterbauelement ähnlich einem JFET mit einem Schottky-Übergang (Metall-Halbleiter) anstelle eines AP-Übergangs für ein Gate.

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