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IGBT
FET
TRIAC
✖
Die Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitter-Anschlüssen des Geräts.
ⓘ
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) [C
(g-e)(igbt)
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT), auch als Miller-Kapazität bekannt, ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Kollektoranschlüssen eines IGBT besteht.
ⓘ
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT) [C
(g-c)(igbt)
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die Eingangskapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des Geräts.
ⓘ
Eingangskapazität des IGBT [C
in(igbt)
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Eingangskapazität des IGBT
Formel
C
in(igbt)
=
C
(g-e)(igbt)
+
C
(g-c)(igbt)
Beispiel
5.76 F
=
0.21 F
+
5.55 F
Taschenrechner
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Eingangskapazität des IGBT Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangskapazität (IGBT)
=
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)
+
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
C
in(igbt)
=
C
(g-e)(igbt)
+
C
(g-c)(igbt)
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Eingangskapazität (IGBT)
-
(Gemessen in Farad)
- Die Eingangskapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitteranschlüssen des Geräts.
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)
-
(Gemessen in Farad)
- Die Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) ist die Kapazität zwischen den Gate- und Emitter-Anschlüssen des Geräts.
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
-
(Gemessen in Farad)
- Die Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT), auch als Miller-Kapazität bekannt, ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Kollektoranschlüssen eines IGBT besteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT):
0.21 Farad --> 0.21 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT):
5.55 Farad --> 5.55 Farad Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C
in(igbt)
= C
(g-e)(igbt)
+C
(g-c)(igbt)
-->
0.21+5.55
Auswerten ... ...
C
in(igbt)
= 5.76
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5.76 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5.76 Farad
<--
Eingangskapazität (IGBT)
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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IGBT
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Eingangskapazität des IGBT
Credits
Erstellt von
Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie
(AIT)
,
Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
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IGBT Taschenrechner
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
Gehen
Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)
=
Durchlassstrom (IGBT)
*
N-Kanal-Widerstand (IGBT)
+
Durchlassstrom (IGBT)
*
Driftfestigkeit (IGBT)
+
Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)
IGBT-Ausschaltzeit
Gehen
Ausschaltzeit (IGBT)
=
Verzögerungszeit (IGBT)
+
Anfängliche Abfallzeit (IGBT)
+
Endgültige Abfallzeit (IGBT)
Eingangskapazität des IGBT
Gehen
Eingangskapazität (IGBT)
=
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)
+
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
Emitterstrom des IGBT
Gehen
Emitterstrom (IGBT)
=
Löcherstrom (IGBT)
+
Elektronischer Strom (IGBT)
Mehr sehen >>
Eingangskapazität des IGBT Formel
Eingangskapazität (IGBT)
=
Gate-Emitter-Kapazität (IGBT)
+
Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT)
C
in(igbt)
=
C
(g-e)(igbt)
+
C
(g-c)(igbt)
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