Eingangskapazität in der Hochfrequenzverstärkung des CE-Verstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangskapazität = Kollektor-Basis-Verbindungskapazität+Basis-Emitter-Kapazität*(1+(Transkonduktanz*Lastwiderstand))
Ci = Ccb+Cbe*(1+(gm*RL))
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Eingangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Eingangskapazität ist der Kapazitätswert des Spannungsverstärkers.
Kollektor-Basis-Verbindungskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basis-Verbindungskapazität ist im aktiven Modus in Sperrrichtung vorgespannt und entspricht der Kapazität zwischen Kollektor und Basis.
Basis-Emitter-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Basisemitterkapazität ist die Kapazität des in Durchlassrichtung vorgespannten Übergangs und wird durch eine Diode dargestellt.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Lastwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kollektor-Basis-Verbindungskapazität: 300 Mikrofarad --> 0.0003 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Basis-Emitter-Kapazität: 27 Mikrofarad --> 2.7E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Transkonduktanz: 4.8 Millisiemens --> 0.0048 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Lastwiderstand: 1.49 Kiloohm --> 1490 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ci = Ccb+Cbe*(1+(gm*RL)) --> 0.0003+2.7E-05*(1+(0.0048*1490))
Auswerten ... ...
Ci = 0.000520104
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000520104 Farad -->520.104 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
520.104 Mikrofarad <-- Eingangskapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Reaktion des CE-Verstärkers Taschenrechner

Eingangskapazität in der Hochfrequenzverstärkung des CE-Verstärkers
​ Gehen Eingangskapazität = Kollektor-Basis-Verbindungskapazität+Basis-Emitter-Kapazität*(1+(Transkonduktanz*Lastwiderstand))
Mittelbandverstärkung des CE-Verstärkers
​ Gehen Mittelbandverstärkung = Ausgangsspannung/Grenzspannung
Hochfrequenzverstärkung des CE-Verstärkers
​ Gehen Hochfrequenzgang = Obere 3-dB-Frequenz/(2*pi)
Obere 3-dB-Frequenz des CE-Verstärkers
​ Gehen Obere 3-dB-Frequenz = 2*pi*Hochfrequenzgang

Gängige Bühnenverstärker Taschenrechner

Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante des CE-Verstärkers
​ Gehen Effektive Hochfrequenz-Zeitkonstante = Basis-Emitter-Kapazität*Signalwiderstand+(Kollektor-Basis-Verbindungskapazität*(Signalwiderstand*(1+Transkonduktanz*Lastwiderstand)+Lastwiderstand))+(Kapazität*Lastwiderstand)
Hochfrequenzband bei gegebener komplexer Frequenzvariable
​ Gehen Verstärkerverstärkung im Mittelband = sqrt(((1+(3 dB Frequenz/Frequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Beobachtete Häufigkeit)))/((1+(3 dB Frequenz/Polfrequenz))*(1+(3 dB Frequenz/Zweite Polfrequenz))))
Kollektor-Basis-Verbindungswiderstand des CE-Verstärkers
​ Gehen Sammlerwiderstand = Signalwiderstand*(1+Transkonduktanz*Lastwiderstand)+Lastwiderstand
Verstärkerbandbreite in einem Verstärker mit diskreter Schaltung
​ Gehen Verstärkerbandbreite = Hochfrequenz-Niederfrequenz

Eingangskapazität in der Hochfrequenzverstärkung des CE-Verstärkers Formel

Eingangskapazität = Kollektor-Basis-Verbindungskapazität+Basis-Emitter-Kapazität*(1+(Transkonduktanz*Lastwiderstand))
Ci = Ccb+Cbe*(1+(gm*RL))

Was ist mit CE-Verstärker gemeint?

Der Common-Emitter-Verstärker ist ein dreistufiger einstufiger Bipolartransistor und wird als Spannungsverstärker verwendet. Der Eingang dieses Verstärkers wird vom Basisanschluss genommen, der Ausgang wird vom Kollektoranschluss gesammelt und der Emitteranschluss ist für beide Anschlüsse gemeinsam.

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