Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangsvorspannungsstrom = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand)
I base = (Vee-Vbe)/(Rb+(βdc+1)*Re)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Eingangsvorspannungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Eingangsvorspannungsstrom ist der Strom, der in ein elektrisches Gerät fließt. Sie wird in Ampere (A) gemessen.
Negative Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Eine negative Versorgungsspannung ist eine Spannung, die niedriger ist als die Massereferenzspannung in einem Stromkreis.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist der Spannungsabfall an der Basis-Emitter-Verbindung eines Bipolartransistors, wenn dieser in Durchlassrichtung vorgespannt ist.
Basiswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Basiswiderstand in einer MOSFET-Schaltung wird verwendet, um die Strommenge zu begrenzen, die durch die Basis des MOSFET fließt.
Aktueller Gewinn - Die Stromverstärkung ist die Gleichstromverstärkung eines bipolaren Sperrschichttransistors, der im aktiven Vorwärtsmodus arbeitet.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand eines Bipolartransistors ist ein Widerstand, der zwischen dem Emitteranschluss des Transistors und der Masse oder der Stromversorgungsschiene angeschlossen ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Negative Versorgungsspannung: 12.25 Volt --> 12.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 10 Volt --> 10 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Basiswiderstand: 56 Kiloohm --> 56000 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Aktueller Gewinn: 1.21 --> Keine Konvertierung erforderlich
Emitterwiderstand: 2.8 Kiloohm --> 2800 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
I base = (Vee-Vbe)/(Rb+(βdc+1)*Re) --> (12.25-10)/(56000+(1.21+1)*2800)
Auswerten ... ...
I base = 3.61806136232071E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.61806136232071E-05 Ampere -->0.036180613623207 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.036180613623207 0.036181 Milliampere <-- Eingangsvorspannungsstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

Voreingenommenheit Taschenrechner

DC-Vorspannungsstrom des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen DC-Vorstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2
DC-Bias-Ausgangsspannung am Drain
​ LaTeX ​ Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*DC-Vorstrom
DC-Bias-Strom des MOSFET unter Verwendung der Overdrive-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen DC-Vorstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter*Effektive Spannung^2
Eingangsvorspannungsstrom
​ LaTeX ​ Gehen DC-Vorstrom = (Eingangsbiasstrom 1+Eingangsbiasstrom 2)/2

Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet Formel

​LaTeX ​Gehen
Eingangsvorspannungsstrom = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand)
I base = (Vee-Vbe)/(Rb+(βdc+1)*Re)
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