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Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration Taschenrechner

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✖Die Elektronenkonzentration wird durch verschiedene Faktoren wie Temperatur, dem Halbleitermaterial zugesetzte Verunreinigungen oder Dotierstoffe sowie externe elektrische oder magnetische Felder beeinflusst.ⓘ Elektronenkonzentration [n_e]			+10% -10%
✖Lochkonzentration impliziert eine größere Anzahl verfügbarer Ladungsträger im Material, was sich auf seine Leitfähigkeit und verschiedene Halbleiterbauelemente auswirkt.ⓘ Lochkonzentration [p]			+10% -10%
✖Temperaturverunreinigung ein Basisindex, der die durchschnittliche Lufttemperatur über verschiedene Zeitskalen darstellt.ⓘ Temperaturverunreinigung [t_o]			+10% -10%

✖Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration [n_i]

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Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
Elektronenkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration wird durch verschiedene Faktoren wie Temperatur, dem Halbleitermaterial zugesetzte Verunreinigungen oder Dotierstoffe sowie externe elektrische oder magnetische Felder beeinflusst.
Lochkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Lochkonzentration impliziert eine größere Anzahl verfügbarer Ladungsträger im Material, was sich auf seine Leitfähigkeit und verschiedene Halbleiterbauelemente auswirkt.
Temperaturverunreinigung - (Gemessen in Kelvin) - Temperaturverunreinigung ein Basisindex, der die durchschnittliche Lufttemperatur über verschiedene Zeitskalen darstellt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Elektronenkonzentration: 50.6 1 pro Kubikzentimeter --> 50600000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Lochkonzentration: 0.69 1 pro Kubikzentimeter --> 690000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Temperaturverunreinigung: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Auswerten ... ...

n_i = 1321249.40870375

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1321249.40870375 1 pro Kubikmeter -->1.32124940870375 1 pro Kubikzentimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 pro Kubikzentimeter <-- Intrinsische Konzentration

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ

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Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

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