✖Die effektive Diffusion ist ein Parameter im Zusammenhang mit dem Diffusionsprozess von Ladungsträgern und wird von den Materialeigenschaften und der Geometrie des Halbleiterübergangs beeinflusst.ⓘ Effektive Verbreitung [Dn] | | | +10% -10% |
✖Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.ⓘ Emitterbasis-Verbindungsbereich [A] | | | +10% -10% |
✖Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.ⓘ Aufladung [q] | | | +10% -10% |
✖Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.ⓘ Intrinsische Konzentration [ni] | | | +10% -10% |
✖Der Kollektorstrom ist der Strom, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließt und der vom Transistor verstärkt wird.ⓘ Kollektorstrom [Ic] | | | +10% -10% |
✖Spannung Basis Emitter ist die Spannung zwischen Basis und Emitter bei Vorspannung in Durchlassrichtung und getrenntem Kollektor.ⓘ Spannungsbasisemitter [Vbe] | | | +10% -10% |
✖Unter Thermospannung versteht man die Spannungen, die durch die Verbindung unterschiedlicher Metalle entstehen, wenn zwischen diesen Verbindungen ein Temperaturunterschied besteht.ⓘ Thermische Spannung [Vt] | | | +10% -10% |