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Tor-zu-Quelle-Potenzial Taschenrechner

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Analoges VLSI-Design VLSI-Materialoptimierung

✖Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.ⓘ Gate-zu-Kanal-Spannung [V_gc]			+10% -10%
✖Das Gate-Drain-Potenzial ist definiert als die Spannung zwischen dem Gate- und dem Drain-Übergang der MOSFETs.ⓘ Tor zur Potenzialentwässerung [V_gd]			+10% -10%

✖Das Gate-Source-Potenzial ist die Spannung zwischen Gate und Emitter.ⓘ Tor-zu-Quelle-Potenzial [V_gs]

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Tor-zu-Quelle-Potenzial Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung
V_gs = 2*V_gc-V_gd
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Tor-zu-Quelle-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das Gate-Source-Potenzial ist die Spannung zwischen Gate und Emitter.
Gate-zu-Kanal-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.
Tor zur Potenzialentwässerung - (Gemessen in Volt) - Das Gate-Drain-Potenzial ist definiert als die Spannung zwischen dem Gate- und dem Drain-Übergang der MOSFETs.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-zu-Kanal-Spannung: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Tor zur Potenzialentwässerung: 9.02 Volt --> 9.02 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_gs = 2*V_gc-V_gd --> 2*7.011-9.02

Auswerten ... ...

V_gs = 5.002

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.002 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.002 Volt <-- Tor-zu-Quelle-Potenzial

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Drain Voltage

LaTeX Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))

Gate-zu-Basis-Kapazität

LaTeX Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Gate-zu-Kanal-Spannung

LaTeX Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung

Gate-to-Collector-Potenzial

LaTeX Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2

Mehr sehen >>

Tor-zu-Quelle-Potenzial Formel

LaTeX Gehen

Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung
V_gs = 2*V_gc-V_gd

Erklären Sie, warum die Anzahl der Gate-Eingänge in CMOS-Gates normalerweise auf vier begrenzt ist.

Je höher die Anzahl der Stapel, desto langsamer wird das Tor. In NOR- und NAND-Gattern entspricht die Anzahl der im Stapel vorhandenen Gatter normalerweise der Anzahl der Eingänge plus eins. Die Eingabe ist also auf vier beschränkt.

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