Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Wc = Coc/(Cox*Lov)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.
Überlappungskapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Überlappungskapazität versteht man die Kapazität, die zwischen zwei leitenden Bereichen entsteht, die nahe beieinander liegen, aber nicht direkt verbunden sind.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Überlappungslänge - (Gemessen in Meter) - Die Überlappungslänge ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Träger zurücklegen können, bevor sie sich wieder verbinden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Überlappungskapazität: 3.8E-07 Mikrofarad --> 3.8E-13 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Oxidkapazität: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Überlappungslänge: 40.6 Mikrometer --> 4.06E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Wc = Coc/(Cox*Lov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)
Auswerten ... ...
Wc = 9.95702756524473E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
9.95702756524473E-06 Meter -->9.95702756524473 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
9.95702756524473 9.957028 Mikrometer <-- Kanalbreite
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Übergangsfrequenz des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ LaTeX ​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)
Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt
​ LaTeX ​ Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)
Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung
Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen
​ LaTeX ​ Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Wc = Coc/(Cox*Lov)

Was ist MOSFET und wie funktioniert es?

Im Allgemeinen arbeitet der MOSFET als Schalter, der MOSFET steuert den Spannungs- und Stromfluss zwischen Source und Drain. Die Arbeitsweise des MOSFET hängt vom MOS-Kondensator ab, der die Halbleiteroberfläche unterhalb der Oxidschichten zwischen Source- und Drain-Anschluss ist.

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