✖Die Gate-Basis-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Basis der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-zu-Basis-Kapazität [Cgb] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [Cgd] | | | +10% -10% |