Gate-Source-Kapazität des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Kapazität FET = Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-(Drain-Source-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET))^(1/3)
Cgs(fet) = Tgs-off(fet)/(1-(Vds(fet)/Ψ0(fet)))^(1/3)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Kapazität FET - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität des FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines FET.
Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET - (Gemessen in Zweite) - Die Gate-Source-Kapazitäts-Ausschaltzeit des FET bezieht sich auf die Zeit, die zum Entladen der Gate-Source-Kapazität benötigt wird, ein kritischer Parameter zur Steuerung der Schaltgeschwindigkeit und Energieeffizienz.
Drain-Source-Spannung FET - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.
Oberflächenpotential-FET - (Gemessen in Volt) - Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET: 2.234 Zweite --> 2.234 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Source-Spannung FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Oberflächenpotential-FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cgs(fet) = Tgs-off(fet)/(1-(Vds(fet)0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)
Auswerten ... ...
Cgs(fet) = 6.80569376657684
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
6.80569376657684 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
6.80569376657684 6.805694 Farad <-- Gate-Source-Kapazität FET
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

FET Taschenrechner

Transkonduktanz von FET
​ LaTeX ​ Gehen Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)
Drain-Source-Spannung des FET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Source-Spannung FET = Versorgungsspannung am Drain-FET-Drain-Strom-FET*(Drain-Widerstand FET+Quellwiderstand FET)
Drainstrom des FET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2
Abschnürspannung des FET
​ LaTeX ​ Gehen Pinch-OFF-Spannung = Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET

Gate-Source-Kapazität des FET Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Source-Kapazität FET = Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-(Drain-Source-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET))^(1/3)
Cgs(fet) = Tgs-off(fet)/(1-(Vds(fet)/Ψ0(fet)))^(1/3)
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