✖Die Gate-Source-Kapazitäts-Ausschaltzeit des FET bezieht sich auf die Zeit, die zum Entladen der Gate-Source-Kapazität benötigt wird, ein kritischer Parameter zur Steuerung der Schaltgeschwindigkeit und Energieeffizienz.ⓘ Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET [Tgs-off(fet)] | | | +10% -10% |
✖Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.ⓘ Oberflächenpotential-FET [Ψ0(fet)] | | | +10% -10% |