Gate-Source-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
Cgs = gm/(2*pi*fco)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanz: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cgs = gm/(2*pi*fco) --> 0.05/(2*pi*30.05)
Auswerten ... ...
Cgs = 0.000264816877024784
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000264816877024784 Farad -->264.816877024784 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
264.816877024784 264.8169 Mikrofarad <-- Gate-Source-Kapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Gate-Länge des MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
Grenzfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)
Gate-Source-Kapazität
​ LaTeX ​ Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
Transkonduktanz im MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Gate-Source-Kapazität Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
Cgs = gm/(2*pi*fco)

Welche Anwendungen gibt es für MESFET?

MESFETs bieten Vorteile wie hohe Verstärkung, hohe Geschwindigkeit, geringes Rauschen und geringen Stromverbrauch, wodurch sie für verschiedene Anwendungen in den Bereichen Elektronik, Telekommunikation und Biomedizin geeignet sind.

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