Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov)
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
Breite des Transistors - (Gemessen in Meter) - Die Transistorbreite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Transistorlänge - (Gemessen in Meter) - Die Transistorlänge bezieht sich auf die Länge des Kanalbereichs in einem MOSFET. Diese Dimension spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der Leistung des Transistors.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.
Überlappungskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Überlappungskapazität ist eine parasitäre Kapazität, die durch die physikalische Überlappung zwischen den Gate- und den Source-/Drain-Bereichen entsteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Breite des Transistors: 5.5 Mikrometer --> 5.5E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Transistorlänge: 3.2 Mikrometer --> 3.2E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Oxidkapazität: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Überlappungskapazität: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)
Auswerten ... ...
Cgs = 1.375004576E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
13.75004576 13.75005 Mikrofarad <-- Gate-Source-Kapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration
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Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters
​ LaTeX ​ Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov)
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