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Gate-Oxid-Kapazität Taschenrechner

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✖Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Gate-Kapazität [C_g]			+10% -10%
✖Die Gate-Breite bezieht sich auf den Abstand zwischen der Kante einer Metall-Gate-Elektrode und dem angrenzenden Halbleitermaterial in einem CMOS.ⓘ Torbreite [W_g]			+10% -10%
✖Die Torlänge ist das Maß oder die Ausdehnung von etwas von einem Ende zum anderen.ⓘ Torlänge [L_g]			+10% -10%

✖Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.ⓘ Gate-Oxid-Kapazität [C_ox]

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Gate-Oxid-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Kapazität der Gate-Oxidschicht - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Torbreite - (Gemessen in Meter) - Die Gate-Breite bezieht sich auf den Abstand zwischen der Kante einer Metall-Gate-Elektrode und dem angrenzenden Halbleitermaterial in einem CMOS.
Torlänge - (Gemessen in Meter) - Die Torlänge ist das Maß oder die Ausdehnung von etwas von einem Ende zum anderen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Torbreite: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Torlänge: 7.01 Millimeter --> 0.00701 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_ox = C_g/(W_g*L_g) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)

Auswerten ... ...

C_ox = 29.8370748554696

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

29.8370748554696 Farad pro Quadratmeter -->29.8370748554696 Mikrofarad pro Quadratmillimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

29.8370748554696 ≈ 29.83707 Mikrofarad pro Quadratmillimeter <-- Kapazität der Gate-Oxidschicht

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

LaTeX Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

LaTeX Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

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Kritische Spannung

LaTeX Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

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Gate-Oxid-Kapazität Formel

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Kapazität der Gate-Oxidschicht = Gate-Kapazität/(Torbreite*Torlänge)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)

Was sind die Betriebsbereiche in MOS-Transistoren?

MOS-Transistoren haben drei Betriebsbereiche. Sie sind Cutoff- oder Subthreshold-Bereich, linearer Bereich und Sättigungsbereich.

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