Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)
Lg = Cg/(Cox*Wg)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Torlänge - (Gemessen in Meter) - Die Torlänge ist das Maß oder die Ausdehnung von etwas von einem Ende zum anderen.
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Kapazität der Gate-Oxidschicht - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Kapazität der Gate-Oxidschicht ist definiert als die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Torbreite - (Gemessen in Meter) - Die Gate-Breite bezieht sich auf den Abstand zwischen der Kante einer Metall-Gate-Elektrode und dem angrenzenden Halbleitermaterial in einem CMOS.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Kapazität: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kapazität der Gate-Oxidschicht: 29.83 Mikrofarad pro Quadratmillimeter --> 29.83 Farad pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Torbreite: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Lg = Cg/(Cox*Wg) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)
Auswerten ... ...
Lg = 0.00701166257917674
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00701166257917674 Meter -->7.01166257917674 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
7.01166257917674 7.011663 Millimeter <-- Torlänge
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
​ LaTeX ​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität Formel

​LaTeX ​Gehen
Torlänge = Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Torbreite)
Lg = Cg/(Cox*Wg)

Welche Anwendungen gibt es für die Oxidschicht in VLSI?

Die Oxidschicht hat wichtige Anwendungen in Halbleiterbauelementen. Es dient als Gate-Isolator in MOS-Transistoren und ermöglicht die Steuerung des Elektronenflusses. Darüber hinaus fungiert es als elektrische Isolationsschicht zwischen verschiedenen Komponenten und Verbindungen und gewährleistet so den zuverlässigen und effizienten Betrieb integrierter Schaltkreise in Anwendungen wie Mikroprozessoren, Speichergeräten und Sensoren.

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