Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum Taschenrechner

✖Die statische CMOS-Leistung ist definiert als der Leckstrom aufgrund des sehr geringen statischen Stromverbrauchs in CMOS-Geräten.ⓘ Statische CMOS-Leistung [P_st]			+10% -10%
✖Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.ⓘ Basiskollektorspannung [V_bc]			+10% -10%
✖Der Subthreshold-Strom ist ein Leckstrom unterhalb des Thresholds durch ausgeschaltete Transistoren.ⓘ Unterschwelliger Strom [i_st]			+10% -10%
✖Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Stromkreisen auftritt.ⓘ Konflikt aktuell [i_con]			+10% -10%
✖Der Sperrschichtstrom ist ein Sperrschichtleckstrom aus Source/Drain-Diffusionen.ⓘ Kreuzungsstrom [i_j]			+10% -10%

✖Als Gate-Strom wird definiert, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und aufgrund der sehr hohen Drain-Source-Impedanz außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt.ⓘ Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum [i_g]

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Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-Strom = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-Strom - (Gemessen in Ampere) - Als Gate-Strom wird definiert, wenn zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen keine Spannung anliegt und aufgrund der sehr hohen Drain-Source-Impedanz außer dem Leckstrom kein Strom im Drain fließt.
Statische CMOS-Leistung - (Gemessen in Watt) - Die statische CMOS-Leistung ist definiert als der Leckstrom aufgrund des sehr geringen statischen Stromverbrauchs in CMOS-Geräten.
Basiskollektorspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.
Unterschwelliger Strom - (Gemessen in Ampere) - Der Subthreshold-Strom ist ein Leckstrom unterhalb des Thresholds durch ausgeschaltete Transistoren.
Konflikt aktuell - (Gemessen in Ampere) - Der Konkurrenzstrom ist definiert als der Konkurrenzstrom, der in den proportionalen Stromkreisen auftritt.
Kreuzungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sperrschichtstrom ist ein Sperrschichtleckstrom aus Source/Drain-Diffusionen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Statische CMOS-Leistung: 67.37 Milliwatt --> 0.06737 Watt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basiskollektorspannung: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Unterschwelliger Strom: 1.6 Milliampere --> 0.0016 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Konflikt aktuell: 25.75 Milliampere --> 0.02575 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kreuzungsstrom: 1.5 Milliampere --> 0.0015 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)

Auswerten ... ...

i_g = 0.00450148514851485

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00450148514851485 Ampere -->4.50148514851485 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.50148514851485 ≈ 4.501485 Milliampere <-- Gate-Strom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Aktivitätsfaktor

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Gate-Strom = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)

Ist der MOSFET ein Stromregelgerät?

Der MOSFET ist wie der FET ein spannungsgesteuertes Gerät. Ein Spannungseingang am Gate steuert den Stromfluss von Source zu Drain. Das Gate zieht keinen Dauerstrom.

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