Gate-Länge des MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
Lgate = Vs/(4*pi*fco)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Torlänge - (Gemessen in Meter) - Die Gate-Länge ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Elektroden entlang der Richtung senkrecht zur Ebene des Halbleitermaterials und parallel zur Gate-Elektrode.
Gesättigte Driftgeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die gesättigte Driftgeschwindigkeit ist die maximale Geschwindigkeit, die sich in einem Ladungsträger eines Halbleiters ausbreiten kann.
Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gesättigte Driftgeschwindigkeit: 5 Millimeter / Sekunde --> 0.005 Meter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Grenzfrequenz: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Lgate = Vs/(4*pi*fco) --> 0.005/(4*pi*30.05)
Auswerten ... ...
Lgate = 1.32408438512392E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.32408438512392E-05 Meter -->13.2408438512392 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
13.2408438512392 13.24084 Mikrometer <-- Torlänge
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Gate-Länge des MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
Grenzfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)
Gate-Source-Kapazität
​ LaTeX ​ Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
Transkonduktanz im MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Gate-Länge des MESFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
Lgate = Vs/(4*pi*fco)

Welche Anwendungen gibt es für MESFET?

MESFETs bieten Vorteile wie hohe Verstärkung, hohe Geschwindigkeit, geringes Rauschen und geringen Stromverbrauch, wodurch sie für verschiedene Anwendungen in den Bereichen Elektronik, Telekommunikation und Biomedizin geeignet sind.

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