Gate-Drain-Kapazität des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)
Cgd(fet) = Tgd-off(fet)/(1-Vgd(fet)/Ψ0(fet))^(1/3)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Drain-Kapazität FET - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität des FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des FET. Sie wird durch die Überlappung zwischen den Gate- und Drain-Bereichen verursacht.
Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET - (Gemessen in Zweite) - Die Gate-Drain-Kapazitäts-Ausschaltzeit (FET) bezeichnet die Dauer der Entladung der Gate-Drain-Kapazität und beeinflusst die Schalteigenschaften und die Energieeffizienz in elektronischen Schaltkreisen.
Gate-Drain-Spannung FET - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Drain-Spannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines FET.
Oberflächenpotential-FET - (Gemessen in Volt) - Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET: 6.47 Zweite --> 6.47 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Drain-Spannung FET: 0.0128 Volt --> 0.0128 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Oberflächenpotential-FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cgd(fet) = Tgd-off(fet)/(1-Vgd(fet)0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3)
Auswerten ... ...
Cgd(fet) = 6.47555722841382
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
6.47555722841382 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
6.47555722841382 6.475557 Farad <-- Gate-Drain-Kapazität FET
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Mohamed Fazil V
Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

FET Taschenrechner

Transkonduktanz von FET
​ LaTeX ​ Gehen Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)
Drain-Source-Spannung des FET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Source-Spannung FET = Versorgungsspannung am Drain-FET-Drain-Strom-FET*(Drain-Widerstand FET+Quellwiderstand FET)
Drainstrom des FET
​ LaTeX ​ Gehen Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2
Abschnürspannung des FET
​ LaTeX ​ Gehen Pinch-OFF-Spannung = Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET

Gate-Drain-Kapazität des FET Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)
Cgd(fet) = Tgd-off(fet)/(1-Vgd(fet)/Ψ0(fet))^(1/3)
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